Ίδρυμα: Η HBM θα αντιπροσωπεύει το 35% των προηγμένων διαδικασιών μέχρι το τέλος του 2024
Σύμφωνα με την εταιρεία έρευνας αγοράς Trendforce, η ζήτηση για HBM παρουσιάζει ταχεία ανάπτυξη στην αγορά, σε συνδυασμό με υψηλά κέρδη από την HBM.Ως εκ τούτου, η Samsung, η SK Hynix και η Micron International θα αυξήσουν τις επενδύσεις σε κεφαλαιουχικές επενδύσεις και επενδύσεις παραγωγικής ικανότητας.Αναμένεται ότι μέχρι το τέλος του τρέχοντος έτους, η HBM θα αντιπροσωπεύει το 35% των προηγμένων διαδικασιών, ενώ τα υπόλοιπα θα χρησιμοποιηθούν για την παραγωγή προϊόντων LPDDR5 (X) και DDR5.
Με βάση την τελευταία πρόοδο της HBM, η Trendforce δήλωσε ότι φέτος το HBM3E είναι το mainstream στην αγορά, με αποστολές να συγκεντρώνονται κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους.Το SK Hynix παραμένει ο κύριος προμηθευτής και τόσο η Micron όσο και η SK Hynix χρησιμοποιούν 1 β Η διαδικασία NM, δύο κατασκευαστές έχουν αποσταλεί Nvidia.Η Samsung υιοθετεί 1 α Η διαδικασία NM θα επικυρωθεί το δεύτερο τρίμηνο και θα παραδοθεί στα μέσα του έτους.
Εκτός από τη συνεχή αύξηση του ποσοστού της ζήτησης HBM, η ικανότητα μεταφοράς ενός μηχανήματος των τριών σημαντικών εφαρμογών του υπολογιστή, του διακομιστή και του smartphone έχει αυξηθεί, οπότε η κατανάλωση προηγμένων διαδικασιών αυξάνεται κατά τρίμηνο κατά τρίμηνο.Μετά από μαζική παραγωγή στις νέες πλατφόρμες της Intel Sapphire Rapids και της AMD Genoa, μόνο το DDR5 μπορεί να χρησιμοποιηθεί για προδιαγραφές αποθήκευσης.Φέτος, το ποσοστό διείσδυσης DDR5 θα υπερβεί το 50% μέχρι το τέλος του έτους.
Από την άποψη του νέου εργοστασίου, το εργοστάσιο της Samsung θα έχει περίπου πλήρη χωρητικότητα μέχρι το τέλος του 2024. Το P4L του νέου εργοστασίου σχεδιάζεται να ολοκληρωθεί μέχρι το 2025 και η διαδικασία εργοστασιακής γραμμής 15 θα μετατραπεί από 1y nm σε 1nm β nm ή παραπάνω.Η SK Hynix σχεδιάζει να επεκτείνει την παραγωγική του παραγωγική ικανότητα M16 το επόμενο έτος και το M15X προγραμματίζεται επίσης να ολοκληρωθεί μέχρι το 2025 και να τεθεί σε μαζική παραγωγή μέχρι το τέλος του έτους.Η Ταϊβάν του Meguiar, το εργοστάσιο China θα επαναλάβει το πλήρες φορτίο το επόμενο έτος και η επακόλουθη επέκταση της χωρητικότητας θα κυριαρχείται από το αμερικανικό εργοστάσιο.Το εργοστάσιο Boise θα ολοκληρωθεί το 2025 και θα μεταφερθεί το ένα μετά το άλλο, με μαζική παραγωγή το 2026.
Η Trendforce επεσήμανε ότι λόγω της αύξησης της παραγωγής του NVIDIA GB200 το 2025, με προδιαγραφές HBM3E 192/384GB, αναμένεται ότι η έξοδος HBM θα διπλασιαστεί σχεδόν και διάφορα πρωτότυπα εργοστάσια θα καλωσορίσουν σύντομα την έρευνα και την ανάπτυξη της HBM4.Εάν η επένδυση δεν επεκταθεί σημαντικά, τα προϊόντα DRAM ενδέχεται να είναι ελλιπή λόγω των επιπτώσεων της χωρητικότητας.
Εκτός από τη συνεχή αύξηση του ποσοστού της ζήτησης HBM, η ικανότητα μεταφοράς ενός μηχανήματος των τριών σημαντικών εφαρμογών του υπολογιστή, του διακομιστή και του smartphone έχει αυξηθεί, οπότε η κατανάλωση προηγμένων διαδικασιών αυξάνεται κατά τρίμηνο κατά τρίμηνο.Μετά από μαζική παραγωγή στις νέες πλατφόρμες της Intel Sapphire Rapids και της AMD Genoa, μόνο το DDR5 μπορεί να χρησιμοποιηθεί για προδιαγραφές αποθήκευσης.Φέτος, το ποσοστό διείσδυσης DDR5 θα υπερβεί το 50% μέχρι το τέλος του έτους.
Από την άποψη του νέου εργοστασίου, το εργοστάσιο της Samsung θα έχει περίπου πλήρη χωρητικότητα μέχρι το τέλος του 2024. Το P4L του νέου εργοστασίου σχεδιάζεται να ολοκληρωθεί μέχρι το 2025 και η διαδικασία εργοστασιακής γραμμής 15 θα μετατραπεί από 1y nm σε 1nm β nm ή παραπάνω.Η SK Hynix σχεδιάζει να επεκτείνει την παραγωγική του παραγωγική ικανότητα M16 το επόμενο έτος και το M15X προγραμματίζεται επίσης να ολοκληρωθεί μέχρι το 2025 και να τεθεί σε μαζική παραγωγή μέχρι το τέλος του έτους.Η Ταϊβάν του Meguiar, το εργοστάσιο China θα επαναλάβει το πλήρες φορτίο το επόμενο έτος και η επακόλουθη επέκταση της χωρητικότητας θα κυριαρχείται από το αμερικανικό εργοστάσιο.Το εργοστάσιο Boise θα ολοκληρωθεί το 2025 και θα μεταφερθεί το ένα μετά το άλλο, με μαζική παραγωγή το 2026.
Η Trendforce επεσήμανε ότι λόγω της αύξησης της παραγωγής του NVIDIA GB200 το 2025, με προδιαγραφές HBM3E 192/384GB, αναμένεται ότι η έξοδος HBM θα διπλασιαστεί σχεδόν και διάφορα πρωτότυπα εργοστάσια θα καλωσορίσουν σύντομα την έρευνα και την ανάπτυξη της HBM4.Εάν η επένδυση δεν επεκταθεί σημαντικά, τα προϊόντα DRAM ενδέχεται να είναι ελλιπή λόγω των επιπτώσεων της χωρητικότητας.